樣品名稱:四英寸微結構陣列晶圓片
測試要求:表面三維形貌及尺寸測量
1. 樣品一,掃描范圍 40*40um
此處微結構陣列高度差約為 1.236nm
2、 樣品一,掃描范圍 20*20um
此處微結構陣列高度差約為 1.229nm
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